信息存储

公开了一种非易失性存储器设备的编程方法，所述非易失性存储器设备包括单元串，所述单元串具有垂直于衬底的表面堆叠的存储器单元，所述方法包括：执行第一编程阶段，包括对连接到第一字线的第一存储器单元进行编程并且将第一通过电压施加到所述第一字线上方或下方的其他字线；以及执行第二编程阶段，包括在完全对所述第一存储器单元进行编程之后对第二存储器单元进行编程，所述第二存储器单元连接到比所述第一字线更靠近所述衬底的第二字线，将第二通过电压施加到所述第二字线下方的第一字线组并将第三通过电压施加到所述第二字线上方的第二字线组，所述第二通过电压低于所述第三通过电压。

本申请涉及一种具有偏置机构的设备及其操作方法。描述与存储装置相关的方法、设备和系统。所述存储装置可以包括感测放大器，所述感测放大器被配置成同时对其中的感测节点预充电，并对其中任意晶体管之间的阈值电压失配进行补偿。所述感测放大器可以被配置成在不连接单独的预充电电压的情况下对其中的连线节点充电。

一种存储器设备，包括：连接到字线和位线的存储单元、将字线驱动至预充电电平的行驱动器、将位线驱动至第一目标电平的列驱动器、在第一目标电平施加到存储单元之后感测字线的第一感测电平的感测放大器、和读取控制电路，读取控制电路根据感测放大器感测到的第一感测电平控制列驱动器，以便选择性地将不同于第一目标电平的第二目标电平施加到存储单元。

本发明提供一种半导体装置以及传感器装置。其对修正用存储器的劣化进行检测。该半导体装置具备：修正用存储器，其存储有对修正对象进行修正的修正用数据；修正部，其使用从修正用存储器读取出的修正用数据，对传感器元件的检测值进行修正；诊断部，其使用从修正用存储器读取出的修正用数据，对修正用存储器进行诊断；以及控制部，其对从修正用存储器读取修正用数据时的读取条件进行控制，控制部使第一读取条件与第二读取条件不同，第一读取条件是读取用于修正的修正用数据时的读取条件，第二读取条件是读取用于诊断的修正用数据时的读取条件。

提供一种电阻式存储器和操作存储器的方法。所述电阻式存储器包括：存储器单元阵列、写入/读取电路和控制电路。存储器单元阵列包括多个电阻式存储器单元，所述多个电阻式存储器单元结合到多条字线和多条位线。写入/读取电路通过行解码器和列解码器结合到存储器单元阵列，写入/读取电路执行将写入数据写入存储器单元阵列的目标页中的写入操作，并通过将从目标页读取的读取数据与写入数据进行比较来验证写入操作。控制电路控制行解码器、列解码器和写入/读取电路中的至少一个，以基于地址根据从接入点到存储器单元阵列中的选择的存储器单元的距离控制选择的存储器单元经受的电阻。

本发明公开了一种写入与读取目标存储器单元的方法及其集成电路，用以适应在读取窗口或写入窗口中的变化，该变化是由处于每一逻辑状态中并与目标单元共享存取线的半选定单元的数目变化引起的。大致来说，在读取操作或写入操作的一个区段中的存取线上侦测漏电流，并调整在该操作的第二区段中侦测或产生的读取电流或写入电流以补偿经侦测的漏电流。若目标单元的字线地址尚未改变且经追踪的漏电流参考值尚未因其他原因而变为无效，则在后续读取操作或写入操作中可省略第一区段。

本发明公开一种NOR闪存及其参考电流比较电路，该参考电流比较电路包括：参考电流生成电路，该参考电流生成电路包括浮栅晶体管(R0，R1，……，Rn)，浮栅晶体管(R0，R1，……，Rn)的漏极与位线(BL0，BL1，……，BLn)连接，浮栅晶体管(R0，R1，……，Rn)的源极连接到源线；多路选择器，多路选择器的输入端与浮栅晶体管Ri的源极和存储单元Ci的源极连接；多路选择器的地址端用于控制存储单元Ci和浮栅晶体管Ri被选择；比较器，其中比较器的输入端分别与多路选择器的输出端连接；其中0≤i≤n，n为正整数。本发明能够消除源端串联电阻的影响，提高提高闪存读取的精度、速度和可靠性。

本发明提供一种基于列数据分割的低功耗可重构SRAM结构及数据存取方法，所述数据存取方法包括：提取每一个数据段的数据特征，并根据每一个数据段的数据特征配置对应的标志位，其中，数据存储阵列中的每一列数据被划分为多段形成多个数据段；根据每一个数据段的标志位，配置每一个数据段的工作模式；按照对应的工作模式从数据存储阵列中读取数据。本发明在不改变数据存储阵列每列数据中数据单元数量的条件下，对数据进行更细粒度的特征统计，将一列中的数据划分为多个段，对每一数据段进行数据特征的读取，并且分别配置每个段的工作模式，按照对应的工作模式读取数据，降低了整个数据存储阵列中数据读取的功耗。

本公开涉及参考电压确定方法及装置，所述方法包括：利用多个不同参考电压读取第一闪存页的数据，将所读取的数据的第一错误比特数目达到收敛值的参考电压作为第一目标参考电压，所述第一闪存页为待测试的闪存块的多个闪存页中的任意一个；对所述第一目标参考电压进行调整，得到多个第二目标参考电压；利用所述多个第二目标参考电压读取闪存块的多个闪存页的数据，将所读取的数据的第二错误比特数目最小的第二目标参考电压作为目标参考电压。通过以上方法，本公开可以确定闪存块当前真实的参考电压，以确保闪存块的正常使用，确保读取数据的准确性。

本公开实施例公开了一种存储器测试方法、装置、计算机可读存储介质及电子设备，其中，该方法包括：获取功能数据；基于功能数据的类型，确定待测试数据与参考数据；确定待测试数据与参考数据的比较结果；基于比较结果，确定对存储器的测试结果。本公开实施例有效地利用了功能数据，实时地对存储器进行测试，提高了测试存储器的效率，由于功能数据的类型多样，从而可以更全面地对存储器进行测试。

本申请公开了一种调整采样相位的方法及串行闪存控制器，该串行闪存控制器包括处理通路，处理通路包括延迟电路，延迟电路中的寄存器接收相位差调整信号；延迟电路中的调整延迟电路与寄存器连接，根据相位差调整信号对随路时钟信号或第一数据信号进行延迟，以使得随路时钟信号与第一数据信号的相位差在第一预设范围以内；调整延迟电路包括多个串联的子延迟电路，子延迟电路的延迟时间为第一时间，随路时钟信号与第一数据信号的初始相位差为第二时间，预设数量与第一时间以及第二时间相关联。通过上述方式，本申请能够调整随路时钟信号与第一数据信号的相位差，实现对第一数据信号的准确采样，实现数据信号的稳定传输。

本发明公开了一种存储单元的故障定位分析方法、装置、存储介质和终端，通过使用Magnum II测试系统的错误捕获内存和算法生成器代替传统的烧录器和chroma测试机，用错误捕获内存记录失效地址的行和列，然后用算法生成器产生pattern去做分析；本技术方案不但能定位失效的存储单元，还能对存储单元进行故障原因分析；可通过算法生成器自动产生pattern做分析，通用性好。

本发明涉及一种6T SRAM存算装置、存算系统及存算方法。存算装置包括存储部分和计算部分，其中的存储部分包括4个晶体管，控制数据和权重向存储部分的写入；计算部分包括2个晶体管，利用2比特输入的计算模式对存储部分的数据和权重做加权计算。存算系统以存算装置为核心，利用输入驱动器输入数据并存储，利用行解码器输入权重并存储，利用列译码和位线驱动模块实现权重由存储部分到计算部分的传递，利用加权按位乘累加输出模块对计算部分的输出结果做乘累加计算。本发明的存算装置和存算系统相比现有技术能够简化计算机的存算结构，减小占用面积；存算方法相比现有1比特输入的计算方法具有更高的计算精度和计算效率。

本发明公开了一种数据输出驱动电路及非易失型闪存器，通过优化前置驱动模块，使得数据翻转时PMOS驱动管和NMOS驱动管的栅极电压、开启程度不同步变化，而是实现一种非交叠时序，在打开PMOS驱动管时，NMOS驱动管的栅极电压已经接近0V，NMOS驱动管关闭；在打开NMOS驱动管时，PMOS驱动管栅极电压已经接近电源电压，PMOS驱动管关闭，避免了PMOS驱动管和NMOS驱动管两个驱动管同时开启而形成穿通电流，解决了PMOS驱动管和NMOS驱动管同时开启形成穿通电流从而引起驱动管总的峰值电流的增加和数据读出时的功耗增加的问题。

本发明公开一种通过芯片电源引脚通信的方法以及芯片和系统，方法包括步骤：步骤a.调制电源输出电压，使电源输出电压在芯片允许的范围内持续变动产生相对高低电平，高低电平作为通信信号载波；步骤b.采集固定长度的芯片电源引脚的电压信号，按照高电平与低电平的长度比转换为与之对应的比特位数据；步骤c.组合多个比特位数据为通信数据包。本发明支持对只有一个电源引脚作为输入引脚的芯片输出信号校准。

本发明涉及数据储存技术领域，提供一种防止失速产生振动导致磁盘刮花的数据存储设备，包括机体，所述机体的内壁活动连接有转盘，转盘的外壁活动连接有转轴，转轴远离转盘的一端固定连接有离心块。该防止失速产生振动导致磁盘刮花的数据存储设备，转盘转速过快，转盘带动转轴进行旋转，离心块和卡块配合使用导致螺旋弹簧受到的离心力被拉伸，卡块被甩出离心块的内部，滑块带动不完全齿轮旋转使缓冲板靠近转盘的外壁，缓冲板利用其外壁的滑球对转盘进行减速，将无摩擦力变为滚动摩擦，并利用压力加大摩擦力，且由于滑轨为波浪产生点刹的作用，不会对转盘照成磨损影响其工作，利用点刹和改变摩擦形式和力度防止磁盘振动。

本发明实施例提供了一种低时延LDPC解码器的硬件实现方法、装置及解码器，该低时延LDPC解码器的硬件实现方法能同时完成行更新，列更新和校验，大大降低了解码所需的时间，降低解码器延迟。与此同时，能够免去普通解码过程中大量行更新和列更新的中间计算结果的缓存需求，大大减少了解码过程中所需的硬件缓存资源。该方法还能只针对非零行进行处理，省去了一些不必要的运算单元和寄存器。

一种水凝胶修饰的高稳定碳基全息光盘的制备方法及应用涉及信息存储技术领域，解决了需要一种具有高信息存储稳定性、高衍射效率的存储介质的制备方法的问题，包括在光盘型的玻璃衬底上制备多孔二氧化钛薄膜；浸在碳量子点溶液中使多孔二氧化钛薄膜负载碳量子点，得到碳量子点/二氧化钛复合薄膜；浸在硝酸银溶液中并采用紫外灯辐照制备银/碳量子点/二氧化钛复合薄膜；采用提拉浸渍法附着一层水凝胶。本发明的制备方法方便可靠、成本低、适用于商业化大量生产，制备的光盘具有信息存储高稳定性、高效率、高均匀性的性能优势，这使全息光存储在未来数据存储领域脱颖而出成为可能，能够很好地应用于全息数据存储领域。

本发明公开的一种SD卡智能存取设备，包括储存外壳，所述储存外壳内设有储存腔，所述储存腔内含有存取机构，所述储存外壳的内壁上间隔设有滑轨，每两个所述滑轨之间滑动设有承载转盘，本发明结构简单，操作智能，本发明不仅能够将SD卡规范的保存，能够智能的选择和储存SD卡，避免了因为SD卡太多而造成的混乱，能够精确快速的得到所需要的SD卡，不用再通过一张张的尝试来确定需要哪张卡，节省了大量的时间，并且封闭储存能够保护SD卡免受外界环境的破坏，降低了损坏率，本发明，工作效率高，具有较高的一体化程度。

本发明的实施方式提供一种可提升处理能力的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含可设定为至少4个阈值电压中的任一个阈值电压的第1存储单元(MT)、第1位线(BL)、字线(WL)、及连接于第1位线(BL)的第1感应放大器(SAU)。第1感应放大器(SAU)是在对字线(WL)施加第1电压的第1验证操作中，对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH)，在对字线(WL)施加比第1电压高的第2电压的第2验证操作中，不对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH)，在对字线(WL)施加比第2电压高的第3电压的第3验证操作中，对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH)。

本发明涉及录音装置技术领域，更具体地说，是一种户外防水防风录音装置及其使用方法，包括录音机本体、凹槽以及设置在凹槽内的录音头，所述凹槽设置在录音机本体的一端，所述录音机本体的另一端设有锥形槽，所述录音机本体内设有防水组件，所述防水组件包括触发机构和防水机构，所述触发机构与防水机构之间通过连接机构连接，所述录音机本体外围周向设有多个防风机构，所述录音机本体内设有空腔，所述空腔与锥形槽连通，所述空腔内设有排水机构，本发明通过设置防风机构和防水机构有效的保护了整个录音装置，避免录音装置在工作时受到外界环境的影响，同时采用联动的方式能及时将装置内部渗入的水排出。

本发明揭示了一种外挂CC逻辑功能的移动固态硬盘电路及移动固态硬盘，其中，所述电路，包括：接口模块，用于移动固态硬盘与外围设备进行数据交互；闪存模块，用于读取和存储数据；电源模块，用于给电路上各功能模块供电；控制模块，用于控制电路上各功能模块的工作；信道切换模块，用于识别移动固态硬盘处于正插或反插状态，且切换指定信道用于接口模块和控制模块的通信；其中，信道切换模块包括切换单元和第一外围电路，其中，第一外围电路用于识别移动固态硬盘处于正插或反插状态，切换单元用于切换信道，且切换单元包括DeMuxSwitch或MuxSwitch。与现有技术相比，本电路无需使用专用的Type‑C管理芯片，而是使用通道切换芯片，大幅降低移动固态硬盘的生产成本。

本发明公开了一种针对可热插拔SSD的水冷存储系统，涉及存储技术领域，包括：固态硬盘SSD，主控板，水冷组件，机箱，水冷公端及与所述水冷公端相匹配的水冷母端；其中，所述水冷公端及水冷母端用于热传导；所述SSD、主控板及水冷组件设置在所述机箱内；所述SSD插接于所述主控板的一端，所述水冷公端的一端设置在所述SSD外壳上，在所述机箱内侧对应所述SSD的位置处设置所述水冷母端，所述水冷母端的一端与所述水冷公端的另一端插接；所述水冷组件与所述水冷母端的另一端连接。用以通过水冷散热，提升水冷存储系统的散热效率。

本申请提供一种存储器、存储装置、集成电路、无线电器件和设备。可将产品信息存入存储器的第一存储单元的若干个第一存储元中，并将这些第一存储元对应的第二存储元中存储的数据编码设为预设编码，这样，存有产品信息的上述若干个第一存储元便会处于写保护状态，这样就防止了已经存入该第一存储元的产品信息被人为二次改写的问题。同样的，可将机密信息存入第一存储单元的若干第一存储元中，并将这些第一存储元对应的第二存储元中存储的数据编码设为预设编码，存有机密信息的上述若干个第一存储元便会处于读保护状态，从而可解决存入该第一存储元的机密信息被外部的程序接触而导致的泄露的问题。

本发明公开了可离线双阵列光盘数据存储设备,包括机架，所述机架上设置有用于存储光盘的离线库、用于读写光盘的在线库以及用于搬运光盘的机械手装置，所述离线库和在线库位于机械手装置的两侧，所述离线库内设置有若干个可离线的光盘存储单元，所述在线库内设置有若干个用于在线读取光盘的光驱。本申请中每一个光盘存储单元均为完全独立的单元体，且可拆卸的设置于机架上，可以实现离线存储，使得可离线双阵列光盘数据存储设备在有限的空间内，数据存储容量可以实现最大化。

本发明公开了抽拉式光盘数据存储设备，包括机架，所述机架上设置有用于放置光盘匣的转笼、用于搬运光盘匣的搬运机械手装置、用于抓取光盘的抓取机械手装置以及用于读取光盘的光驱，所述搬运机械手装置设置于转笼的一侧，所述抓取机械手装置位于搬运机械手装置的相对一侧，所述光驱与抓取机械手装置相对设置。本发明通过两个转笼进行光盘的存储，增加了存储设备的存储容量；通过搬运机械手装置将光盘匣搬运至抓取机械手装置处，进行光盘的抓取，改变了传统方式中直接从光盘存储设备抓取光盘，使得整个光盘数据存储设备的体积小；同时减少了机械手装置抓取光盘运动的距离，使得机械手装置对于光盘的取放速度更快，稳定性更好。

本发明涉及软件工程使用设备技术领域，且公开了一种节能型用于软件工程的存储设备冷却装置，包括机体，机体内固定连接有冷凝管、反复弹簧，冷凝管上方连接有速冷装置，速冷装置内开设有冷却槽，冷却槽内连接有冷却轮，速冷装置内开设有入水口、出水口，反复弹簧底部连接有连挡杆，冷却轮内开设有速冷槽，速冷槽底部连接有气囊，气囊两侧连接有气槽，气槽内连接有隔板，气囊顶部连接有推动杆，速冷槽内连接有压力弹簧，压力弹簧右侧连接有推板。该节能型用于软件工程的存储设备冷却装置，通过电机带动冷却轮转动，冷却轮转动使冷凝管内冷凝水进行循环流动，再通过散热扇的配合，对储存设备以及冷凝水进行散热降温，从而提高散热冷却的效果。

本申请案是针对用于存储器系统的维护操作。描述用于以下操作的方法、系统和装置：对存储器单元执行存取操作；基于对所述存储器单元执行所述存取操作而使第一计数器的值递增；确定所述第一计数器的所述经递增值满足阈值；基于确定所述第一计数器的所述经递增值满足所述阈值而使第二计数器的值递增；和基于确定所述第一计数器的所述经递增值满足所述阈值而对所述存储器单元执行维护操作。

本申请案涉及铁电存储器单元存取。在一些实例中，在存取程序的第一部分期间，可增加与所述存储器单元耦合的数字线及字线的电压，同时将与所述存储器单元耦合的板的电压保持为恒定的，这可支持在所述存取程序之前感测由所述存储器单元存储的逻辑状态，且可致使将第一逻辑状态写入到所述存储器单元。可接着增加所述板的电压，且可接着将所述数字线与所述板耦合。由于先前将所述第一逻辑状态写入到所述存储器单元，因此除非目标逻辑状态不同于所述第一逻辑状态，否则可不需要随后将所述目标逻辑状态写入到所述存储器单元。

本发明的实施例涉及用于产生多个行锤击地址刷新序列的设备及方法。实例设备可包含地址加扰器及刷新控制电路。所述地址加扰器可接收第一地址、响应于第一控制信号输出第二地址及响应于第二控制信号输出第三地址。所述第二地址可物理邻近所述第一地址，且所述第三地址可物理邻近所述第二地址。所述刷新控制电路可在所述第一控制信号活动时对所述第二地址执行刷新操作且在所述第二控制信号活动时对所述第三地址执行所述刷新操作。

一种设备具有控制器和存储器单元阵列，所述阵列包含包括多个行的第一区段和包括多个行的第二区段。所述控制器经配置以与损耗平衡相关联地：将存储在所述第一区段的第一行中的数据从所述一行转移到寄存器；当感测所述第一区段的第二行中的数据时，将所述数据从所述寄存器转移到所述第二区段的目的地行。

本发明揭示一种设备，其可包含地址计数器(18A到18E)以提供第一地址信息及第二地址信息。所述第一地址信息可包含第一数目个位且所述第二地址信息可包含小于所述第一数目位的第二数目个位。所述地址计数器(18A到18E)可执行第一更新操作。所述第一更新操作使得所述第一地址信息从第一初始值更新到第一最终值。所述地址计数器(18A到18E)还可执行第二更新操作，所述第二更新操作使得所述第二地址信息从第二初始值更新到第二最终值。另外，所述地址计数器(18A到18E)还可每执行所述第一更新操作一次执行所述第二更新操作至少两次。

本申请涉及存储系统深度空闲电力模式。公开了系统和方法，所述方法包含：在进入存储系统的空闲电力模式之后的第一阈值时间之后，在未通过通信接口从主机装置接收到命令的情况下，使用所述存储系统的控制电路系统将存储在所述存储系统的易失性存储器中的主机数据移动到所述存储系统的非易失性存储器并且使所述存储系统的电力模式从空闲电力模式转变为深度空闲电力模式，所述深度空闲电力模式具有低于所述空闲模式的第一电力水平的第二电力水平和高于所述空闲模式的第一退出时延的第二退出时延。所述控制电路系统可以进一步确定所述存储系统准备好进入省电电力模式，并且使用与所述通信接口分离的单向电力状态信号接口来提供对所述确定的指示。

一种存储模块，包括：至少一个半导体存储装置；以及测试图案存储器，其储存用于测试至少一个半导体存储装置的第一测试图案信息，并且储存在测试图案存储器中的第一测试图案信息在测试操作中被传送至主机。通过具有上述功能的存储模块，考虑到存储模块的独特的弱特性，能够进行存储测试。

本申请涉及数据处理系统。本发明揭示与视频摄像机所记录的视频及传感器数据的处理有关的方法及系统。举例来说，第一实施例针对于将传感器数据存储在数字媒体文件的元数据部分中，第二实施例针对于将突出显示数据存储在数字媒体文件的元数据部分中，且第三实施例针对于基于传感器数据而创建突出显示数据。

本发明公开一种便于操作的烧录治具，包括升降液压缸、移动架、放置工作盘、调节卡板、移动板体、橡胶卡接槽、弹簧连接座、卡接弹簧、上下槽片和里内板，所述底座的上方一侧位置处设置有连接柱，且连接柱的左右两侧位置处均设置有限位杆，通过设置的调节卡板使得设备可以适用于不同长度和宽度的烧录工件的卡接固定，利用橡胶卡接槽的作用使得设备可以适用于不同厚度的烧录工件的卡接固定，这样就使得设备在工作的时候不会因为不同的工件其大小均不相同无法进行调整，避免了传统的治具只能满足一种工件的卡接操作，这样在车间操作的时候内部具不需要准备多个不同型号的治具，一种治具即可满足不同生产的需要，降低了了生产的成本。

本发明公开了一种硬盘测试方法、装置、存储介质及电子设备，该硬盘测试方法包括：获取被测硬盘插入测试主机的接入信息；将被测硬盘作为预装windows系统的测试主机的数据盘进行本地自动化测试；将预装windows系统的被测硬盘作为系统盘进行远程自动化测试。本发明在被测硬盘插入测试主机当中时，将被测硬盘作为预装windows系统的测试主机的数据盘进行本地自动化测试，将预装windows系统的被测硬盘作为系统盘进行远程自动化测试，以实现被测硬盘在windows系统中作为OS driver和data driver下的自动化检查，从而提高硬盘在windows环境下的测试效率。

本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，对待测试的DRAM先以预设突发长度为单位进行基于第一预设读写单元的突发读写访问操作，再进行基于第二预设读写单元的突发读写访问操作，第一预设读写单元与第二预设读写单元不同，由于预设读写单元的读写访问是从预设读写单元的两端同时向中间进行读写，并且通过掩码依次选通所述预设突发长度的预设写入位并屏蔽其余位直至所述预设突发长度对应的每一位均写入数据，因此，更贴近用户使用的环境，且相较于现有的突发访问测试，通过使用掩码从而实现在一个突发长度内实现按位访问，更能够激发cell与cell之间的故障，提高了测试DRAM时的故障覆盖率。

本发明创造涉及一种适用于桌面式固态硬盘的存放箱，包括固定箱、固定块、震动机构、敲击机构和散热机构，震动机构包括驱动组件和震动组件，散热机构包括转动组件和散热组件，敲击机构包括滑轮、拉绳、限位板、支撑板、圆杆、弹簧和橡胶球，该适用于桌面式固态硬盘的存放箱，通过电机驱动第二弧形块在若干个第一弧形块上滑动，使得固定箱发生震动，将固定箱内壁上的灰尘震落，同时电机驱动敲击机构的橡胶球与固定箱内壁敲击，使得固定箱内壁的上灰尘掉落更快，避免固定箱内的灰尘粘附到重要零件上，提高硬盘的运行速度，同时电机还能驱动圆环内的水流动，使得水里面的热量分布更均匀，提高散热效果，降低固定箱内的温度，从而提升硬盘的运行效率。

本发明提供一种固态硬盘老化产生坏块的解析方法、装置，所述的方法包括如下步骤：老化测试过程将坏块信息存储于存储器；将存放坏块的存储器进行地址划分；按划分的地址分块提取坏块信息；将提取的坏块信息按照坏块结构进行解析；将解析后的坏块信息写入数据库。该方法用于SSD生产阶段FT2工站解析坏块信息，快速定位故障颗粒位置，减少了故障盘维修时间和测试成本。

本申请适用于半导体芯片技术领域，提供了芯片测试方法，该芯片测试方法包括：对待测半导体芯片中的每个存储单元写第一数据；分别对每个存储单元执行N次读取操作，得到第一结果，N为大于或者等于3的正整数；根据第一结果确定待测半导体芯片是否为存在故障的芯片。通过上述方法，能够有效、准确检测出存在故障的半导体芯片。

本发明公开了一种独立使用的音像出版物，属于音像出版物的技术领域，解决了音像出版物需要借助播放设备才能使用的技术问题，本发明所采用的技术方案是：把需要出版的作品，用数字技术将声音和影像，存储在有数据存储卡的视频播放器里面，播放器和播放文件合二为一，不借助其他播放设备，实现音像出版物的独立使用。音像出版物不与任何其他设备连接，不与任何其他设备进行数据传输，主要用于音像出版，用于提高音像出版物的使用率，让音像出版物可以更方便和安全的使用。

本发明公开了一种数据灾备存储装置及载具，其中载具包括数据灾备存储装置，数据灾备存储装置包括具有中空腔的内胆，所述中空腔装有冷却液并用于容纳数据存储器，内胆开设有与所述中空腔相连通的泄压孔，泄压孔外设置有由低熔点合金制成的合金构件、以及用于将合金构件固定在内胆上的固定组件，泄压孔外设置有还设置有一个或多个密封垫，以使得中空腔密封。通过设置合金构件，当温度高于合金构件熔点使得合金构件熔化时，冷却液以高压蒸汽的形式排出，降低内胆温度，而且内胆的中空腔能够在温度下降至合金熔点之下时重新形成密封，实现冷却液的反复外泄降温，冷却液得到了充分的利用，有利于提高灾备存储装置耐热持久性。

本发明实施例涉及一种存储单元和静态随机存储器，该存储单元包括：锁存器，所述锁存器提供第一存储位；所述存储单元还包括第一MOS管；所述第一MOS管的栅极连接所述第一存储位，所述第一MOS管的源极连接第一读取线，所述第一MOS管的漏极连接第二读取线；在第一状态下，所述第一读取线为读取字线，所述第二读取线为读取位线；在第二状态下，所述第二读取线为读取字线，所述第一读取线为读取位线。本发明实施例的存储单元能够实现读取字线和读取位线互换。

本申请涉及一种固件参数检测方法、装置及固件设置方法，该固件参数检测方法包括：读取参数设置文档和对应的标准文件；获取参数设置文档中的待测固件参数信息；获取标准文件中的标准固件参数信息；根据标准文件中的标准固件参数信息对参数设置文档中的待测固件参数信息进行检测，得到检测结果；检测结果包括参数设置文档是否存在错误的待测固件参数信息。若参数设置文档没有错误的固件参数信息，则根据该参数设置文档对待开卡固件进行参数设置，保证了该固件的参数设置的正确率，且不再需要对设置好参数的固件再次进行参数检测，节省了人力物力，提高了生产效率。

本发明公开了一种在线课堂重现方法、系统、电子设备和计算机存储介质，涉及在线教育技术领域，旨在解决课程重放缺少课堂互动的问题。该方法包含以下步骤：接收教师终端发送的任务开启请求，记录任务的开始时间点、任务的内容；若任务需要学生终端处理，则接收学生终端发送的任务提交请求，记录提交的内容和任务提交的时间点；接收教师终端发送的任务关闭请求，记录任务的关闭时间点；根据任务的开始时间点、任务的关闭时间点、任务提交的时间点，将任务的内容、学生终端提交的内容在课堂时间轴上进行对应编辑，形成回放数据链；推送回放数据链至目标学生终端，按照在课堂时间轴上的时间节点，将任务内容和学生终端提交的内容进行展示。

在一些实施方案中，一种电子设备在显示器上显示屏幕保护程序。在一些实施方案中，在显示屏幕保护程序时，该电子设备接收在一个或多个输入设备的触敏表面上检测到的输入。在一些实施方案中，响应于该输入，如果当接收到该输入时该电子设备处于音乐回放模式，并且如果该输入是在该触敏表面的多个区域中的第一区域处的点击输入，则该电子设备在该显示器上显示响应于覆盖在该屏幕保护程序上的该输入而播放的音乐的表示。在一些实施方案中，响应于该输入，如果该输入是在该触敏表面的多个区域中的第二区域处的点击输入，则该电子设备停止显示该屏幕保护程序。

本发明提供用于对包含硫属化物材料的多电平自选择存储器单元进行编程的技术。为了将一或多个中间存储器状态编程到所述自选择存储器单元，可使用包含两个脉冲的编程脉冲序列。所述编程脉冲序列的第一脉冲可具有第一极性及第一量值，且所述编程脉冲序列的第二脉冲可具有不同于所述第一极性的第二极性及不同于所述第一量值的第二量值。在施加所述编程脉冲序列中的两个脉冲之后，所述自选择存储器单元可存储表示两个数据位(例如，逻辑‘01’或逻辑‘10’)的中间状态。

本文中描述用于模仿神经系统中可能存在的神经‑生物逻辑架构的方法、系统及装置。存储器装置可包含经配置以存储值的存储器单元。存储器单元可包含第一存储器单元(例如，侵扰存储器单元)及多个其它存储器单元(例如，受害存储器单元)。所述存储器单元可使用可基于存取操作的所述受害存储器单元的热干扰来存储模拟值。由所述侵扰存储器单元在存取操作(例如，写入操作)期间输出的热能可致使所述受害存储器单元的状态基于所述侵扰存储器单元与所述受害存储器单元中的至少一些之间的热关系而变更。在读取操作期间，可通过检测及组合所述受害存储器单元的权重来读取所述存储器单元。

本发明公开了一种存储器单粒子测试方法及系统，其中方法包括：预设码写入：向被测存储器内写入预设码；重离子辐照：对被测存储器进行重离子辐照，同时在辐照过程中循环读取被测存储器中的数据，并将数据与所述预设码比较，根据比较结果判断翻转类型，统计翻转位数及次数；测试数据记录：被测存储器的全部存储空间被完全读取一遍后，暂停辐射，并将该周期内累计翻转位数及次数传递给主控计算机显示并保存；重复重离子辐照步骤及所述测试数据记录步骤直至重离子注入量达到规定值。根据上述技术方案的存储器单粒子测试方法，测试过程中对存储器的全部存储空间进行循环读取，避免瞬态改写造成的误判，保证测试结果的准确无误。