基本电气元件

一种变压器装置(100)包括：多个(102)堆叠变压器，每个变压器(101)包括变压器芯(104)、缠绕在变压器芯周围的第一绕组(106)、第二绕组(108)、空间间隙(110)，该空间间隙(110)被配置为允许通过流动在空间间隙中的冷却剂流体对变压器的冷却；支撑多个堆叠变压器中的变压器的支撑结构(120)；其中支撑结构(120)和多个堆叠变压器中的变压器的空间间隙被配置为形成用于冷却剂流体的冷却管道(130)。

本发明关于一种晶粒载体及其内部晶舟输送装置，包括一装载端口，该装载端口设于该主架的一支持架体，用以装载一容纳有晶舟的晶粒载体，并供将该晶粒载体以Y轴向推动；一载体定位输送机构，该载体定位输送机构由上而下设有相间隔的多层托架，本发明通过该载体定位输送机构的多层托架，可以将该晶粒载体以Z轴向位移；而当其中一托架的高度外部平台的第一轨道衔接时，通过该主动投料机构推移该晶粒载体内的晶舟移出该晶粒载体至该第一轨道，而该第一轨道又可以延长衔接至制程不同的目的地，因此可以简易使得该各个晶舟可以上轨而到达不同制程的目的地。

本发明涉及网线滑环生产制造领域，具体的说是一种小型网线滑环随动机构，包括滑环本体，滑环本体的固定侧固定连接有固定转子机构，滑环本体的转动侧上固定连接有轴承旋转机构，轴承旋转机构包括异形上罩、角接触轴承、轴用卡簧和轴承座上罩，异形上罩通过螺栓固定连接在滑环本体转动侧的活动法兰上，角接触轴承安装于轴承座上罩的中间位置，二者整体卡入到异形上罩上，轴用卡簧卡设在异形上罩上并抵住角接触轴承，轴承座上罩的上端利用螺栓固定连接有上罩盖板，上罩盖板的上端边缘固定连接有附属支架，使得本发明能够按照用户要求配置略短于网线长度的牵引链安装于支架上，良好抑制网线因为受到较大的牵引力而发生松动、扯断的现象。

本发明公开了高可靠性半导体封装件设计。一种功率半导体器件封装件。该封装件可以包括具有多个通孔的基板。封装件还可以包括被固定到基板的顶侧的绝缘主体。绝缘主体可以包括用于将一组半导体器件包围在其中的主要部分和多个锁定结构，多个锁定结构沿着主要部分的下周边设置，并且一体地形成在绝缘主体内，其中，多个锁定结构延伸穿过基板。

本发明公开了一种曲面透明导电材料的制备方法，包括有以下步骤：S1:在曲面材料上镀上底部ITO层；S2:在底部ITO层上镀上一层Ag层；S3:在Ag层上镀上一层顶部ITO层。本发明提出的一种曲面透明导电材料的制备方法，对曲面进行IAI(ITO/Ag/ITO)镀膜，先在曲面材料上镀ITO层，再镀Ag层，最后镀ITO层。由于在两层ITO层间增加了Ag层，降低了ITO的电阻，且由于上下层有ITO层，IAI的光学性能与ITO相当；最终得到透光性好的曲面导电材料，其连接电源用于加热，可以提升加热效率，曲面导电材料接地用作屏蔽膜，则可有较好的屏蔽效能，可广泛应用于各个产品领域。

本发明公开了一种氮化镓器件。该氮化镓器件包括：衬底；缓冲层位于衬底之上；沟道层，沟道层位于缓冲层远离衬底的表面；缓冲层的第一表面为靠近衬底的表面，缓冲层的第二表面为缓冲层和沟道层接触的表面，缓冲层的第二表面侧的材料至少包括铝原子掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料，铝原子和第Ⅲ主族原子的比值大于或等于2%，且小于或等于5%，缓冲层的第一表面侧的材料至少包括碳原子掺杂的Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；缓冲层包括一层或者多个子层；势垒层位于沟道层远离缓冲层的表面；P型氮化物层位于势垒层远离沟道层的表面。本发明实施例提供的技术方案提高了沟道层、势垒层和P型氮化物层的良率，提升了氮化镓器件的电学性能的稳定性。

本发明公开了一种轨道输送装置，包括：固定输送轨，固定输送轨上具有第一作业轨道，第一作业轨道用于支撑载板的一侧；活动输送轨，固定输送轨和活动输送轨相对设置，活动输送轨上具有第二作业轨道，第二作业轨道用于支撑载板的另一侧；顶升驱动机构，第一作业轨道和第二作业轨道均位于顶升驱动机构的上方，顶升驱动机构上具有两个顶升偏心轴组件，两个顶升偏心轴组件在旋转时能够同步进行偏心动作，以将第一作业轨道、第二作业轨道和载板同时顶起。该轨道输送装置具有在载板输送过程中，轨道带动载板进行自动升降，避免了载板多次流转，提高产品稳定性的优点。

本发明公开了一种矿井用电缆装置，包括储水槽，所述储水槽内侧设置有安装架，且所述安装架内侧安装有电缆本体，所述储水槽左右两侧均连接有导水槽，且所述储水槽左右两侧开口处通过扭力弹簧杆活动连接有活动板，所述导水槽内侧设置有过滤板，且所述过滤板内侧安装有连接轴，所述储水槽下方设置有驱动机构，且所述驱动机构左右两侧均连接有联动机构。本发明通过驱动机构和联动机构，只需要矿井内应急饮水的施工人员在进行饮水操作时，就能对电缆装置的过滤网进行清洗，以此防止过滤板在长期使用过程中产生堵塞的问题，且无需任何电器元件，无需维修人员手动对过滤板清理和更换，大大降低了成本，减少了维修人员的人工成本。

本申请涉及一种捏折机构、制电芯装置、制电芯方法、叠片料带及电芯，捏折机构包括至少一个捏折组件，布置于料带的输送路径上，各捏折组件用于对位于输送路径的料带执行捏折操作，捏折操作包括在料带上形成沿料带的厚度方向拱起的拱起部，并捏合拱起部，以在料带上形成捏合部。在生产电芯时，可利用捏折机构中的各捏折组件对叠片料带的折角位置捏折出捏合部，在叠片时，可以依次在叠片料带的各个捏合部折叠，利用捏合部精确定位叠片料带的折角位置，有助于提高叠片料带的叠片精度，提高电芯品质。

本发明公开了一种可快速标定电堆气量分布的测试方法及其控制系统，具体步骤包括：选择对照电堆；将电堆放置于测试台内后，开机启动测试，以梯度调节气体流量，在每个工况点维持预设时间，计算平均电压值以及计算在不同工况内变化的第一平均电压变化幅值；设定第一平均电压变化幅值为标准值；将测试电堆放置于测试台内，执行步骤2‑步骤3，在预设工况范围内比对第二平均电压变化幅值与第一平均电压变化幅值，根据比对结果判断单电池位置气量分布状态。该发明能够精确定位电堆中每个单片电池的气量分布状态，以检测电堆安全性以及性能稳定性提高保证，同时也能够为后续的电堆优化设计以及运行工况的状态监测提供依据，以进一步的提高电堆的寿命。

一种半导体结构及其形成方法、封装方法，结构包括：衬底，所述衬底包括器件区和环绕所述器件区的过渡区，所述器件区内具有器件结构；位于器件区上的第一金属层，所述第一金属层和器件结构电连接；位于过渡区上的第一对准标记；覆盖所述第一金属层和第一对准标记的介质结构，在位于器件区上的介质结构内形成的连接结构，所述连接结构与所述第一金属层电连接；位于过渡区上的介质结构上的第二对准标记，所述第二对准标记在衬底上的投影与所述第一对准标记在衬底上的投影不重合。所述半导体结构使得封装良率提升。

本申请提供了一种前照式图像传感器，包括：基底、感光单元与透镜结构；基底具有多个电荷存储区；感光单元位于基底上方，感光单元包括多个感光子单元，每一感光子单元包括上下堆叠设置的红光感光层、绿光感光层、蓝光感光层以及红外感光层，一个感光子单元电连接一个电荷存储区；透镜结构位于感光单元远离基底的一侧。本发明的前照式图像传感器，一、工艺简单、良率高；二、电荷存储区和存储电容空间可以设计足够大，从而获得更大满井容量，带来高动态范围提升，并天然具备全局快门设计条件；三、可以减少光线传播过程中引起的串扰；四、集成了彩色图像传感器与红外光图像传感器，集成度高，成本低。

提供一种端盖组件、电池和用电设备。端盖组件(21)用于电池，包括端盖(211)、透气阀(215)和保护贴片(217)。端盖(211)具有用于朝向电池的内部的第一侧和与第一侧相对的第二侧，并包括连通第一侧和第二侧的第一通道(2113)；透气阀(215)包括与第一通道(2113)气体连通的透气膜(2152)，透气膜(2152)包括朝向端盖(211)的第二侧敞开的透气部(2152A)；保护贴片(217)设置于端盖(211)的第二侧并覆盖透气部(2152A)。电池包括该端盖组件。用电设备包括该电池。

本发明公开了一种卯榫结构的四工器，主要解决现有四工器生产过程中繁琐的结构装拆形式，产品体积大的问题。该四工器包括多个结构相同且首尾卯榫相接内部形成柱形空间的卯榫弦壳，卡接在卯榫弦壳形成的柱形空间内的十字隔腔，安装于所述十字隔腔的腔体内的低通滤波器，以及通过卯榫结构固定在卯榫弦壳两端的端盖；其中一端的端盖上开设有多个输入输出孔。本发明的四工器彻底蠲除了现有螺钉装拆的繁琐形式，有效地提高了生产效率。卯榫工艺的应用使得四工器安装更为紧密，减小了安装面之间的缝隙，提高了四工器的Q值；同时由于未使用螺钉安装，腔体内部就会减少安装产生的碎屑和金属粉尘，在一定程度上提高了四工器的三阶互调指标。

本发明揭示了降低EMI的耦合电感器，由磁芯和两个线圈组装并充填粉末热压成型。该磁芯为冷压成型且带十字底盘基座的凸柱体；两个线圈各自独立绕制成相同外形，并互相绕卷成同心双股缠绕状的组合线圈。其中任一线圈的矮脚部承托另一线圈，且高脚部绕过另一线圈顶部向下弯折支撑，与另一线圈的矮脚部并排相隔、同向电流输入。组合线圈以十字底盘基座为承载体、套接成型于凸柱体，封装状态下各矮脚部和高脚部的端面外露于电感器底面并成型电极。本发明通过优化线圈的成型结构，能将各自所产生的磁通相互抵消，经Ansys maxwell仿真所得出的耦合系数K值可降至‑0.6以下，从而可以有效降低产品的EMI干扰，优化电感器所占空间。

本申请涉及一种天线装置和电子设备。天线装置中，辐射体上具有第一接地点以及与馈源连接的馈电点，辐射体用于在馈源的激励下与金属地板耦合，寄生枝节具有第二接地点，且寄生枝节与辐射体之间具有缝隙，调谐电路分别与馈源、馈电点连接，调谐电路用于支持辐射体和寄生枝节工作在第一谐振模式，以支持第一频段，调谐电路还用于调节辐射体支持第二频段和第三频段，其中，第一频段、第二频段和第三频段各不相同；第一谐振模式为馈源提供的激励电流谐振于第一目标端与第二目标端之间的模式，第一目标端为辐射体上远离寄生枝节的一端，第二目标端为寄生枝节上远离辐射体的一端。该天线装置可实现小净空下的宽带化设计，例如，可兼顾WiFi 7和UWB频段。

本发明提供能够一边抑制与升降器的干涉一边向基板的表面均匀地供给气泡的基板处理装置。在处理槽的内部形成朝向上方的处理液的层流，基板(W)浸渍于该处理液中。在处理槽的内部配置有八根气泡供给管(51)，这八根气泡供给管(51)从基板的下方向处理液中供给气泡。将八根气泡供给管(51)中的最内侧的两根配置于冲孔板(60)的凹部(65)的内侧，使这两根气泡供给管(51)的高度位置比其他气泡供给管(51)的高度位置低。即使在升降器(20)使基板下降至浸渍位置时，也能够防止背板(22)的前端部(22a)与气泡供给管(51)碰撞。另外，设有包含最内侧的两根气泡供给管(51)的八根气泡供给管(51)，因此能够向基板的表面均匀地供给气泡。

本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，其中，制备方法包括以下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底之上形成氧化物层以及位于氧化物层之上的第一氮化物层；形成沟槽，沟槽由第一氮化物层贯通至半导体衬底的内部；采用炉管工艺在沟槽内生长第一隔离部；采用沉积工艺在第一隔离区之上沉积形成第二隔离部，第一隔离部和第二隔离区至少填满沟槽。该制备方法可以有效改善传统LOCOS工艺所出现的“鸟嘴效应”和晶圆翘曲过大的问题，同时降低工艺成本，提高器件性能。

本申请公开了一种多结太阳电池结构，该结构包括InGaAs子电池，InGaAs子电池中的多量子阱结构包括交替层叠的InxGaAs势阱层和InkGaAsPy势垒层以及位于势阱层和势垒层之间的InwGaAsPz阶梯势垒层，通过设置InwGaAsPz阶梯势垒层的带隙介于势阱层的带隙和势垒层的带隙之间，改善光生载流子输运，提高太阳电池光电转换效率、开路电压和填充因子；还设置InwGaAsPz阶梯势垒层的晶格常数介于势阱层的晶格常数和势垒层的晶格常数之间，使InkGaAsPy势垒层的厚度可以减小，降低其产生位错的风险；且InwGaAsPz阶梯势垒层与势阱层的AsP界面更平整，多量子阱结构吸光效果更好。

本发明涉及储能柜的技术领域，尤其是一种具有自动巡检功能的储能柜，包括，储能柜机构，包括储能柜身组件，通过铰链和所述储能柜身组件转动相连的储能柜门组件；巡检机构，包括安装于所述储能柜门组件上的轴向滑动组件，滑动卡嵌于所述轴向滑动组件上的监测组件。本发明当监测组件上下移动时，监测组件会受到引导组件影响从而左右移动，配合轴向滑动组件能使得监测组件拍摄到更多的数据信息，从而判断储能柜身组件的内部情况，通过驱动组件能使得引导组件沿着导向组件移动，从而改变监测组件的移动路径，工作人员能从中选取最适合的路径进行监测，避免了人眼排查中的不确定性，同时避免柜门打开水蒸气进入导致短路的风险。

本发明公开了一种燃料电池催化层、其制备方法及膜电极，其中，催化层包括催化剂、离聚物和添加剂；所述催化剂包括铂基催化剂，所述离聚物包括全氟磺酸聚合物，所述添加剂包括具有亲水性内核和外部有机基团的有机‑无机杂化的纳米笼状结构材料。本发明可以针对燃料电池的应用环境特性，解决水管理的问题，对于低湿度或高温度条件下的燃料电池应用场景，催化层中具有亲水性无机内核‑亲水性有机基团的添加剂，可以改善“膜干燥”问题；对于高湿度或低温度条件下的燃料电池应用场景，催化层中具有亲水性无机内核‑疏水性有机基团的添加剂，可以改善电极“水淹”问题。

本发明公开了一种晶圆亲水性的测试装置及测试方法，方法包括：底座和支架；所述支架的顶端设置有水平方向的伸缩装置，所述伸缩装置的末端设置有滴水器；所述底座上方设置有载台和照相机，所述载台通过轴承与所述底座连接，以使得所述载台能够通过所述轴承相对于所述底座转动；所述载台上方设置有固定卡位，所述固定卡位用于固定待检测的晶圆。本发明解决现有技术中晶圆亲水性检测测试的准确性和效率低，复杂性高的技术问题，可以系统性的完成对晶圆不同位置亲水性的量测和分析。

本申请公开了一种封装结构及封装方法，该封装结构包括散热基板、第一元器件、第一包封结构、第一再布线层和第二元器件，其中，第一再布线层通过贯穿第一包封结构的第一导体结构与第一元器件连接，本申请实施例中，将第一元器件贴装在散热基板上，相比于利用印刷电路板中的过孔散热，能够为第一元器件的提供较好的散热效果，设置第一元器件和第二元器件之间的第一再布线层，第一再布线层可以和第一元器件连接，也可以与第二元器件连接，相比于绑定线而言成本更低，互联电感更小，对工艺要求较低，通过第一导体结构能够实现第一元器件与第一再布线层互相连接，第一包封结构支撑其上的第一再布线层，能够实现多层互连，形成集成度高的3D封装结构。

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底的表面具有亲水基团；对基底的表面进行改性处理，使基底表面的部分亲水基团转变为疏水基团；对改性处理后的所述基底表面进行增粘处理，在基底表面生成增粘物质；在增粘处理后的所述基底上形成光刻胶层。通过在增粘处理之前，先通过改性处理消耗基底表面的亲水基团，后续在对基底表面进行增粘处理的过程中，由于基底表面的亲水基团大部分被消耗，增粘处理过程中加入反应的亲水基团减少，相应的，反应所产生的副产物减少，副产物的减少有利于增大光刻胶层与基底之间的粘附力，提高了基底表面与光刻胶层的耦合效果。

本发明提出了一种一种基于带状线结构的十字交叉双极化天线，具有结构稳定、隔离度高、结构简单紧凑、低成本、低交叉极化等优点，适合用于组成大型高性能相控阵天线。金属偶极子、微带馈电巴伦和金属反射板两两之间通过结构件固定，具有较高的结构稳定性，对两个极化的馈电端口进行屏蔽设计，避免了单元端口间串扰，提高了极化隔离度，天线单元既可用于矩形栅格组阵，亦可用于三角栅格组阵的相控阵天线设计，且由于十字交叉形式，保证了两个极化辐射的相位中心重合，结合金属隔离柱并优化带状线偶极子臂下倾角，可在16％相对带宽内实现±45°空域覆盖。

本发明公开了一种数据线加工的防崩断绞合装置，本发明涉及线缆加工技术领域，包括底板，所述底板的顶部固定连接有旋转部件，所述底板顶部远离旋转部件的一侧固定连接有收料部件，所述底板顶部的中部固定连接有固定部件，本发明通过设置导向机构，当支线缠绕主线进行完成绞合工作后，通过将连接轴对主线进行旋转收料，主线经过导向块进行收料工作时，通过旋转块带动三个导向块在凹槽的内腔中进行滑动，从而使得三个导向块对主线进行限位，同时圆弧板在滑动槽的内腔中进行滑动，从而使得滚珠与移动收料时的主线相接触，从而防止主线在进行收卷时发生较大的晃动，从而造成主线在收卷时发生较大的晃动造成崩断的现象。

本发明公开了一种基于超透镜的超导动态电感探测器，包括硅衬底；超导动态电感像素单元阵列，所述超导动态电感像素单元阵列沉积在所述硅衬底表面；和超透镜阵列，所述超透镜阵列通过以超导动态电感像素单元阵列为基准采用背面光刻对准工艺刻蚀所述硅衬底背面得到，所述超透镜阵列用于将垂直入射光聚焦到所述超导动态电感像素单元阵列上，通过所述超导动态电感像素单元阵列将聚焦的入射光转化为电信号从而完成对入射光的探测。该超导动态电感探测器能够将入射光准确的聚焦到超导动态电感像素单元阵列上从而能够准确的探测入射光。本发明还公开了该基于超透镜的超导动态电感探测器的制备方法。

本发明公开了一种晶圆加工工艺，属于半导体制造领域。一种晶圆加工工艺，包括以下步骤：在晶圆背面完成背面的金属工艺，将晶圆背面键合在载盘上；在晶圆正面以及载盘上端面上涂布铝金属层，在铝金属层上涂布光阻，并使得晶圆预留的切割道上方的铝金属层暴露；蚀刻暴露在光阻外的铝金属层，并且在晶圆与载盘的衔接处形成金属环；在晶圆预设置切割道的部位进行隐形切割，将晶圆加热形成欧姆合金；在所述的铝金属层上进行化学镀，形成贵金属层；晶圆预设置切割道的部位进行切割形成切割道，切断并去除所述的金属环；进行扩膜裂片形成晶粒。

本发明公开了一种具备线缆终端剥皮功能的接线头及其使用方法，涉及发电机技术领域，包括，剥皮单元，包括安装组件、剥皮驱动组件，以及截断组件；主体单元，包括线缆、线芯，以及连接组件；保险单元，包括转动组件、限位组件，以及夹持组件；导接单元，其包括橡胶塞、通孔，以及螺纹头。本发明的有益效果为能够方便同时对线缆终端进行剥皮和对线路进行稳固连接、能够抵抗外力干扰、防误触且对场地限制较小，保证线路始终牢固和稳定的连接，操作简单，确保临时紧急输出市电的及时性和顺畅性。

本发明公开了一种封装双极化天线阵列，包括阵列排布的至少一个天线模块，每一所述天线模块可被激励出第一辐射电磁模式和/或第二辐射电磁模式，且至少一个所述天线模块可被同时激励出所述第一辐射电磁模式和第二辐射电磁模式；其中，每一所述天线模块的所述第一辐射电磁模式的极化方向与所有所述天线模块的所述第二辐射电磁模式的极化方向相互正交设置，每一所述天线模块的所述第二辐射电磁模式的极化方向与所有所述天线模块的所述第一辐射电磁模式的极化方向相互正交设置。本申请在单一天线口径下实现了收发双工，大大缩减的天线的占地面积，收发端口具备高隔离度的特性，收发天线合成方向图的一致性很好。

本申请提供一种电子设备，涉及终端设备技术领域。用于解决电子设备因内部空间有限，导致天线的设置受到约束，影响天线性能和信号强度的问题。上述电子设备包括外壳、主板、元器件以及支架。主板设置于外壳内。元器件设置于主板上，且与主板电连接。支架设置于元器件远离主板的一侧，支架包括塑胶部分和金属部分，金属部分嵌入塑胶部分内部，金属部分包括多个子支架，多个子支架间隔分布，且多个子支架中的至少一个用于作为天线的辐射体。

本发明提出了一种半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，所述p型半导体层上方设置有p型接触层，所述p型接触层具有Al组分分布、In组分分布、Mg掺杂浓度分布、Si掺杂浓度分布、C含量浓度分布、H含量浓度分布和O含量浓度分布特性。本发明通过在p型半导体层上设置p型接触层，并设计该p型接触层的Al组分分布、In组分分布、Mg掺杂浓度分布、Si掺杂浓度分布、C含量浓度分布、H含量浓度分布和O含量浓度分布特性，能够提升p型接触层的Mg离化效率和溶解度，提升空穴浓度，降低半导体发光元件的电阻和电压。

本发明公开了一种液冷式大电流连接器及方法，其中，一种液冷式大电流连接器包括：线缆固定组件，所述线缆固定组件用于对线缆进行固定；端子安装组件，所述端子安装组件与线缆固定组件连接，端子安装组件用于对端子提供支撑，端子安装组件与线缆固定组件连接后，端子与线缆电性连接；液冷组件，所述液冷组件包括，固定套，所述固定套与端子安装组件可拆卸连接，固定套的外表面设置有微型制冷装置；液冷内芯，所述液冷内芯安装在固定套内部，液冷内芯的外表面与固定套的内表面接触，并用于套设在端子安装组件上；本发明目的是解决现有技术中的端子液冷结构对端子的换热效率低，冷却效果差的问题。

本发明公开了一种高性能的纳米单晶正极材料及其制备方法。以二次球形前驱体为基体原料，首先通过液氮球磨法将前驱体进行充分破碎，得到粒度均匀的纳米级一次颗粒前驱体Ⅰ；然后一次颗粒前驱体Ⅰ与锂源混匀，加入植酸溶液与纳米铝粉形成胶体溶液，得到包覆改性后的高强度的前驱体Ⅱ；最后将前驱体Ⅱ在放电等离子体炉中烧结，得到高性能的纳米单晶正极材料。本发明提供的单晶材料前驱体，具有大小均匀，颗粒细小，颗粒强度高，增强了材料的循环稳定性。本发明利用等离子体的活化和快速升温烧结的综合作用，使得最终的产品具有氧空位、致密度高等特点，有利于显著提高材料的容量、倍率性能。

本发明公开了基于TSV的双层宽阻带微带线‑SIW滤波器，包括四个由TSV构成的谐振腔，其中第一谐振腔和第二谐振腔位于同一平面，第三谐振腔和第四谐振腔位于同一平面，第一谐振腔和第四谐振腔为SIW腔，第二谐振腔和第三谐振腔为微带线腔，第一谐振腔和第四谐振腔上下正对设置，第二谐振腔和第三谐振腔上下正对设置。本发明提供的滤波器结构具有更小的尺寸的同时，可以实现优良的特性。

本发明公开了一种触刀型高精度熔断器，包括安装座，安装座两侧设有第一刀座和第二刀座，第一刀座上设有中心轴，中心轴上转动套设有旋转件，旋转件与中心轴之间设有扭簧，旋转件上设有内置活动块和弹性件的导向槽，活动块侧面设有限位部，活动块上设有磁体，导向槽内设有电磁铁，第一导电块上设有底部具有限位槽的弧形槽，限位部插入弧形槽，第一触刀顶部设置有具有避让口的第一插接口，熔断丝连接第一触刀和第二触刀，第一触点和第二触点分别通过导线连接第一触刀和第二触刀，至少其中一导线上设有常开热敏通电结构，安装座上设有与电磁铁串联的第三触点和第四触点。这种熔断器能够快速组装熔断器主体，并在熔断丝熔断时自动弹出熔断器主体。

一种字键连动平衡装置，包含底板、设置于所述底板的弹性体、键盖及设置于所述底板与所述键盖之间的连杆组。所述底板包括两个卡勾组及两个挡片组，每一个卡勾组具有滑槽，每一个挡片组具有限位槽。所述连杆组包括第一杆件与第二杆件，所述第一杆件具有两个第一卡轴、两个第一枢轴及两个平衡枢轴，所述第二杆件具有两个第二卡轴及两个第二枢轴，当所述字键连动平衡装置自非按压状态变换至按压状态时，所述键盖压缩所述弹性体，每一个第一卡轴与各自的所述第二卡轴朝下且彼此互相远离地移动，所述平衡枢轴分别沿所述限位槽朝上移动，每一个第二枢轴与各自的所述第一枢轴沿各自的所述滑槽互相靠近。

本公开涉及的电接点材料的特征在于，在包含Ag粒子和SnO2粒子的Ag‑SnO2烧结体中含有以FeO为主成分的Fe氧化物粒子。

本发明属于车载雷达技术领域，具体涉及车载毫米波前雷达平肩天线，包括：k列辐射单元和功分网络构成的天线；每列辐射单元的最大增益在‑10°～10°范围内，每列辐射单元的3dB波束宽度大于15度；所述天线在FOV范围内的天线增益的变化率小于2dB/度，且相对零度方向的相对增益均大于‑16dB，增益最大的方向在‑5°～5°范围内。使得天线的利用率提高1倍，和传统的远天线只探测远处，近天线只探测近处相比，利用率提高1倍；对稀疏阵列，方位孔径可以提升到原来的2倍，方位孔径和俯仰孔径都提升了1倍，分辨率自然也提升了1倍，和现有的形式相比，3列、4列、5列、6列的增益都比2列的增益更高，因此探测距离也更远。

本发明公开了一种新能源储能电池线束，涉及新能源储能电池技术领域，包括主体，所述主体的正面设置有加固组件，所述加固组件包括固定板，所述固定板嵌入安装在主体的正面，所述固定板的正面螺纹连接有固定销，所述固定板的外部固定连接有加固卡板，所述固定板的正面固定连接有排线板，所述排线板的正面设置有若干接线孔，所述接线孔的外部固定连接有橡胶圈。本发明下夹板通过焊接板固定连接在主体的内部，下夹板位于上夹板的顶部，使用时通过上夹板和下夹板开有的固定槽能够对连接线进行限位，防滑片固定连接在固定槽的内部，防滑片能够增加摩擦力，防止连接线滑动，提高固定时的稳定性，提高了使用时的安全性。

本发明涉及燃料电池技术领域，尤其涉及一种纳米级粉体、其制备方法及应用。所述制备方法包括：A)按照SmxR1‑xMn2O5的化学计量比，将四水乙酸钐、镧系化合物、四水乙酸锰和水混合，得到混合料液；其中，R包括镧系元素中的至少一种；0≤x≤1；B)与分散剂在60～100℃搅拌混合，得到分散料液；C)与交联络合剂混合，在60～100℃搅拌反应；D)将反应后的产物溶液在100～200℃搅拌使水分蒸发，得到粘稠溶胶体；E)在50～250℃烘烤，得到蓬松絮状前驱体，研磨成粉体；F)在900～1200℃煅烧，得到纳米级粉体。本发明原料简单环保、操作方便、耗时较短，收率和纯度较高；制备的纳米级粉体品质较优。

本发明涉及一种用于高压蓄电池的吸收器结构，其包括基体，该基体在上侧上具有设置面，所述设置面设计用于设置多个能量存储单体，所述基体构造为塑料体、尤其是泡沫材料体，并且所述基体具有包括纤维材料的附加元件，该附加元件设计用于朝向上侧提供遮护或保护作用。

具有GDT和MOV功能的集成装置。在一些实施例中，电气装置可以包括接合于界面的第一层和第二层，每层具有外表面和内表面，使得所述第一层和所述第二层的内表面之间限定密封腔室。所述电气装置还可包括在所述第一层和所述第二层的每层的外表面上实现的外电极，以及在所述第一层和所述第二层的每层的内表面上实现的内电极。所述第一层可以包括金属氧化物材料，使得第一外电极、所述第一层、和第一内电极提供金属氧化物变阻器(MOV)功能，并且所述第一内电极、第二内电极、和所述密封腔室提供气体放电管(GDT)的功能。

本发明揭示一种簧片，包括：第一接触区、多个连接条以及第二接触区，第一接触区与第二接触区通过多个连接条连接，且多个连接条间隔设置；连接条靠近第一接触区的端部朝外设有第一凸起部。本发明揭示一种连接端子及连接器。通过在连接条上增设第一凸起部，插针插入时将对簧片产生扩撑力，由于存在多个第一凸起部，该扩撑力转换为推动第一凸起部压向套筒的正向力，如此，可在原有的基础上增大了簧片与套筒二者接触的正向力，进而降低二者之间的阻值，最后达到降低温升的效果，此外，由于温升下降，有利于提高其载流能力，实现充电速度与安全性的双面提升。

本公开实施例公开了一种半导体封装结构及制备方法，其中，所述半导体封装结构，包括：第一封装结构，包括中介层和塑封料，所述中介层上设置有第一连接焊盘，所述塑封料包裹所述中介层，并与所述第一连接焊盘共面；第二封装结构，设置在所述中介层上，与所述第一连接焊盘电连接；其中，所述第一封装结构与所述第二封装结构之间存在空隙。

本发明公开一种PFC电感与谐振电感一体化制作方法，包括如下步骤：步骤1，准备磁环、空心线圈；步骤2，将空心线圈套设于所述磁环的外环侧，以形成外覆空心线圈的磁环组件；步骤3，在步骤2的外覆空心线圈的磁环组件上绕设PFC功率电感绕组。如此，其设计理念独特，有效利用电磁原理将PFC电感与谐振电感两个不同感值的个体一体化，实现磁元件集成化，缩小磁元件体积，节省了磁性器件，产品易于组装，组装效率提高，组装成本降低，而且，对大功率电感设计起到改善性效果，产品具有较高的传输功率，产品性能更好。

本发明公开了一种高导电性氮掺杂硅粉及其制备方法和应用，属于锂离子电池技术领域。上述制备方法包括：以氮气为氮源，采用高频热等离子体工艺一步法同时实现硅的纳米化与氮掺杂，最终获得超细氮掺杂硅粉末。本方法不仅生产过程简单，为一步连续过程，设备易操作，且所需的原料成本低，易于推广。氮掺杂通过增加材料中载流子的浓度，提升了硅材料的电子导电率，促进了电子在硅材料中的导通能力。用作锂离子电池负极时，具有首次库伦效率高，循环稳定性优秀的优点，特别是倍率性能得到了明显提升。

本发明公开了一种巨量超薄芯片转印印章及转印方法，所述转印印章包括印章主体；所述印章主体设有一工作面；所述工作面上涂有油层；所述油层上滴有液滴；所述液滴能够拾取芯片并携带所述芯片相对所述印章主体滑移。本发明的有益效果在于：(1)液滴接触芯片，预压力极小，对芯片损伤小，有利于转移超薄芯片(厚度低于1um)。(2)芯片在目标基底上的间距可控，扩展了转印印章的使用场景，仅需改变转印印章的倾角和/或目标基底的移动速度，就能调整转印芯片的间距，控制成本和操作成本低。

半导体器件可以包括具有第一百分比的硅28的第一单晶硅层；具有比硅28的第一百分比高的第二百分比的硅28第二单晶硅层；以及在第一单晶硅层和第二单晶硅层之间的超晶格。超晶格可以包括堆叠的层组，每个层组包括：限定基础硅部分的堆叠的基础硅单层，以及约束在相邻基础硅部分的晶格内的至少一个非半导体单层。

本发明公开了一种锂离子电池电压调整结构，包括底座，所述底座的上端设有转槽，所述转槽的内部设有转台，所述转槽的内底壁上设有装置腔，所述装置腔的内部设有与转台连接的调向机构，所述转台的上端设有两个放置槽，两个所述放置槽内部均设有放置机构，所述放置机构上设有锂离子电池，所述底座的上端固定连接有固定架，所述固定架的内侧设有移动板，所述移动板的下端设有电压调整机构。本发明能够实现对锂离子电池快捷防护和快捷电压调整，有效提高工作效率，并且在转台的一侧工作人员能够对锂离子电池进行装卸操作，而在转台的另一侧能够同时完成锂离子电池的电压调整操作，进而极大提高工作人员的工作效率。